장비안내
반도체 공정 장비(28종)
웨이퍼 전면 가공장비
[사진공정] 세정기(산화막)• 제작 : (주)올텍 / Aquachem-E / KOREA • 용도 : 액체 상태의 약품을 사용하여 산화막을 제거하는 장비(사진공정) • 성능 : Cleaning Process / Loading → Nano Strip(B.O.E) → QDR → Unloading
[사진공정] 세정기(유기물)• 제작 : (주)올텍 / Aquachem-R / KOREA • 용도 : 액체 상태의 약품을 사용하여 유기물을 제거하는 장비(사진공정) • 성능 : Cleaning Process / Loading → EKC(Metal) → QDR1 → QDR2 → Unloading
[사진공정] 에셔• 제작 : Gasonics / PEP-3510A / USA / Refurbish • 용도 : 사진 공정 후 잔여 감광막을 건식으로 제거하는 장비(사진 공정) • 성능 : Process Gas : O2(5500sccm), N2(1000sccm) / Heating Chuck : 50 ~ 350℃ / Etch Rate : 50,000Å/min
[사진공정] 스탭퍼• 제작 : Nikon / NSR-2005i10C / JAPAN / Refurbish • 용도 : Wafer 표면의 미세 회로를 형성하기 위해 노광하는 장비 (사진 공정) • 성능 : Resolution < 5㎛ / Exposure Light Source : I-Line (365nm) / Resolution Ratio : 1/5
[사진공정] 트랙(Track)• 제작 : SVS / MSX1000 / KOREA • 용도 : 감광액을 도포 및 현상하는 장비(사진 공정) • 성능 : Spin Coater & Developer Unit : 각 2ea / Hot Plate Unit : 4ea (Max. 200℃) / Cooling Plate Unit : 2ea
[사진공정] CD-SEM• 제작 : HITACHI / S-8820 / JAPAN / Refurbish • 용도 : 미세 표면 구조를 측정하는 장비(사진 공정) • 성능 : Resolution : < 0.5㎛ / Image Magnification : 1,000 ~ 100,000 / Cassette Plate : 2-Port
[이온주입 및 활성화공정] 고온이온주입기• 제작 : ULVAC / IH-860PSIC / JAPAN • 용도 : 고온(500℃)에서 특정 물질을 주입하는 장비(이온주입 및 활성화 공정) • 성능 : Beam Energy / 400KeV @ Single Charge / 800KeV @ Double Charge , 1200KeV @ Triple Charge
[이온주입 및 활성화공정] 고온어닐기• 제작 : TOYOKO KAGAKU / Ailesic-2000 / JAPAN • 용도 : 이온주입 후 특정 물질을 활성화하기 위한 장비(이온주입 및 활성화 공정) • 성능 : Max. 2100℃ / Ramping Rate 100℃/min / Temperature Uniformity : 1900℃ ±5℃ / Temperature Repeatability : ≤ ±2℃
[저저항형성공정] 스퍼터• 제작 : AMAT / Centura 5200 / USA / Refurbish • 용도 : 알루미늄 등 다양한 금속을 웨이퍼 표면에 증착하는 장비(저저항 형성 공정) • 성능 : Deposition Rate : 1㎛/min(at Al) / Thickness Uniformity : ≤ ±3% / Wafer Warp : >50㎛
[저저항형성공정] 퍼니스(RTP)• 제작 : AG Associates / HEAT8108 / USA / Refurbish • 용도 : 빠른 속도(100℃/sec)로 온도를 상승시켜 열처리하는 장비(저저항 형성 공정) • 성능 : - Heating Temperature : 400 ~ 1100℃ / Heating Rate : ≥ 100℃/sec / Heating Methode : Tungsten
[저저항형성공정] 면저항측정기• 제작 : AiT / CMT-SR2000N / KOREA • 용도 : Wafer 표면의 면저항을 측정하는 장비(저저항 형성 공정) • 성능 : Range : 1mΩ/sq - 2MΩ/sq / Sample Size : Max 200mm / JANDEL 4-Point Probe Head
[저저항형성공정] 프로브 및 테스터• 제작 : Keysight / B1505A / USA • 용도 : 소자의 전기적 특성을 측정하는 장비(저저항 형성 공정) • 성능 : 측정범위 : 10KV, 500A / 고전류 : Max. 20V/20A(Pulse), 고전압 : Max. 1500V/8mA(Pulse) / 다중주파수 : 1KHz ~ 5KHz
[저저항형성공정] 퍼니스(D-Poly)• 제작 : (주)피앤테크 / PF-D63 / KOREA • 용도 : 저압에서 반응성 가스를 사용하여 박막을 증착하는 장비 (저저항 형성 공정) • 성능 : HTO/Si3N4 (Uniformity < 5%) , 500 ~ 900℃ / D-Poly (Uniformity < 5%) / Al Sinter , 400 ~ 500℃
[산화막증착공정] 박막두께측정기• 제작 : 엘립소테크놀러지 / Elli-SEU / KOREA • 용도 : 산화막 등 박막 두께를 측정하는 장비(산화막 증착 공정) • 성능 : Source : Halogen Lamp / Wavelength : 450nm ~ 780nm / Thickness Range : 1nm ~ 20㎛
[산화막증착공정] 퍼니스(SIO2)• 제작 : TOYOKO KAGAKU / Ailesic-1500 / JAPAN • 용도 : 고온의 산소 분위기에서 산화막을 형성하는 장비(산화막 증착 공정) • 성능 : Operational Temperature : 700 ~ 1500℃ / Heating Rate : ≤ 20℃/min / SiO2 Film Thickness Uniformity : ≤ ±1%(within Wafer)
[산화막증착공정] PECVD• 제작 : AMAT / P-5000 / USA / Refurbish • 용도 : 저온(300℃)에서 산화막을 증착하는 장비(산화막 증착 공정) • 성능 : Process Chamber : TEOS, BPSG (Gas : TEOS, TEB, TEPO, O2, N2) / Deposition Rate : 80Å/sec (at SiO2) / Thickness Uniformity : ≤ ±1.5%
[식각공정] 건식식각기(SIC)• 제작 : SAMCO / RIE-800iPC / JAPAN • 용도 : 반응성 가스를 사용하여 산화막 등을 식각하는 장비(식각 공정) • 성능 : SiC Trench Side Wall Profile은 88° 이상 / Process Chamber : ICP Plasma Source / SiC와 산화막과의 식각 선택비는 3.5:1 이상
[식각공정] 건식식각기(SIO2)• 제작 : Lam Research / TCP-9600PTX / USA / Refurbish • 용도 : 반응성 가스 등을 사용하여 산화막 등을 식각하는 장비(식각 공정) • 성능 : Process Gas : BCl3, Cl2, N2, O2, CF4, Ar, H2O / Etch Rate : 7000Å/min (at Al) / Uniformity : 5%(Wafer to Wafer)이하
[식각공정] 마이크로스코프• 제작 : Olympus / DSX510-ASU / JAPAN • 용도 : 표면 구조를 관찰하는 장비(식각 공정) • 성능 : Magnification : x 5,000 / Camera Sensor : 2.1M Pixel / Frame Rate : 15 , Stage 100mm x 100mm
[식각공정] 입자계수기• 제작 : KLA Tencor/Candela CS10/USA/Refurbish • 용도 : 미세먼지, 결함 등을 검출하는 장비(식각 공정) • 성능 : Wafer Thickness : 350 ~ 1100㎛ - 25mW Laser, 405nm Wavelength / Transparent Film Coatings
[식각공정] FE-SEM• 제작 : TESCAN / S8000 / USA • 용도 : 50만배 이상의 고배율로 회로 형상을 측정하는 장비(식각 공정) • 성능 : 구성 : FE-SEM, EDS, Metal Coater / Gun : Schottky Emission Source / Tilt : -60° ~ 90° , Magnification ≤ x 2,000,000
[식각공정] 세정기(Metal)• 제작 : (주)울텍 / Aquachem-H / KOREA • 용도 : Wafer 후면의 미세 실리콘 입자 등을 제거하는 장비(식각공정) • 성능 : Cleaning Process / Loading → HF → OFR → Unloading
웨이퍼 후면 가공장비
후면그라인더• 제작 : DISCO / DGP-8761 / JAPAN • 용도 : Wafer를 원하는 두께로 가공하는 장비(저저항 형성 공정) • 성능 : Z1, Z2 : Grinder / Z3 : Polishing (Grinder Wheel : 200mm) / High Rigidity : 6.3Kw (Spindle Power)
웻스테이션(세정)• 제작 : ㈜울텍 / Aquachem-C / KOREA • 용도 : 미세먼지,자연산화막 등을 제거하는 장비(사진공정) • 성능 : Cleaning Process / Loading → SC1 → HQDR → SC2 → HQDR → HF → OFR → IPA Dryer → Unloading
두께측정기• 제작 : FRT / MICROPROF-200 / GERMANY • 용도 : Water 두께 및 휨 정도를 측정하는 장비(저저항형성공정) • 성능 : • 성능 : Thickness Range : 50㎛ ~ 2000㎛ / Accuracy : < 0.2㎛ / Bow & Warpage Range 20㎛, Repetition 0.2㎛, Accuracy 0.5㎛
레이저어닐• 제작 : SUMITOMO / SWA-20US-M / JAPAN • 용도 : Wafer 후면의 미세 구조물을 선택적으로 열처리 (이온주입 및 활성화 공정) • 성능 : Wave Length : UV Laser 355±5% / Out Power : ≥ 10W @ 20KHz
후면스퍼터• 제작 : LAT / LIS-150 / KOREA • 용도 : 은(Ag)등의 금속을 Wafer 후면에 증착하는 장비(저저항 형성 공정) • 성능 : Film Uniformity : <5% / Thin Wafer Process KIT : 100 ~ 725㎛
신뢰성평가 장비(22종)
시뮬레이터
시뮬레이터• 제작 : Keysight / IC-CAP / USA • 용도 : 소자의 전기적 특성 값을 회로로 설계하는 장비 • 성능 : 파워반도체 디바이스 모델링 / 파워반도체 소자,모듈 열적 해석 / 파워반도체 모듈 시뮬레이터
물리적분석 장비
현미경• 제작 : Nicon / BW-S505 / JAPAN • 용도 : 소자의 외형 구조를 관찰하는 장비 • 성능 : 1pm(표시분해능), 10pm(실효분해능)의 측정 / 0~100um의 높이를 1um 단위로 측정 가능 / 저배율부터 고배율의 간섭렌즈 채택 가능
디캡 스테이션• 제작 : MIS / DW-07 / KOREA • 용도 : Chip 불량분석을 위해 화학적 방법으로 에폭시 수지 제거를 위한 장비 • 성능 : Heating 온도 : jig 250℃ / Beam 400℃ / Chemical bath cover for safety / Auto running system
레이져 디캡• 제작 : MIS / ML-2000 / KOREA • 용도 : Chip 불량분석을 위해 레이저 방법으로 에폭시 수지 제거를 위한 장비
소노 스캔• 제작 : OKOS / VUE400-P / GERMANY• 용도 : 초음파를 이용하여 소자 불량분석 확인을 위한 장비 • 성능 : Average scan speed : 600 mm/sec / Digital Gating : 1 to 10,000ns / Transducers Mhz : 5 to 200 MHz
엑스레이• 제작 : Waygate / S240 microCT / GERMANY • 용도 : 불량 발생시, 분리과정 없이 X-선을 이용한 분석을 위한 장비
포토이미션 현미경• 용도 : 소자 발열 현상으로 인한 소자 불량 분석을 위한 장비
환경시험 장비
고온 연전압 시험기• 제작 : ESPEC/HTRB/JAPAN • 용도 : 소자에 역전압을 가하여 스위칭 내성 평가를 위한 장비 • 성능 : Oven chamber : 20 to 250 ℃ / The number of channel : 80EA / Stress voltage range : 50 to 2,500 V
고온 게이트 전압 시험기• 제작 : 두성기술/DS100GB, DS4500/KOREA • 용도 : MOSFET 게이트 산화막 특성 평가를 위한 장비 • 성능 : Oven chamber : 20 to 250 ℃ (Connector : 200 ℃) / The number of channel : 80EA (4 Slots) / Power Supply : 1V to 4.5KV /1A 이상
고온고습역바이어스 시험기• 제작 : ESPEC/HTRB/JAPAN • 용도 : 고온, 고습의 상황에서 소자 스위칭 내성 평가를 위한 장비 • 성능 : emp & Humi chamber : -40 to 180 ℃ / RH : 20% ~ 98%rh / Stress voltage range : 50 to 2,500 V
파워 싸이클 시험기• 제작 : SIEMENS / PwT 1800A 12C 12V / HUNGARY • 용도 : 소자에 역전압을 가하여 스위칭 내성 평가를 위한 장비 • 성능 : Oven chamber : 20 to 250℃ / The number of chennel : 80EA / Stress voltage range : 50 to 2,500V
간헐 동작 시험기• 용도 : 실제동작 환경에서 소자 동작 후 수명 예측을 위한 장비
고온 방치 시험기• 용도 : 고온(150℃)에서 일정시간 방치한 소자의 특성 변화 확인을 위한 장비
증기 가압 시험기• 용도 : 고온, 고압, 고습 환경에서 소자의 특성 변화 확인을 위한 장비 • 성능 : Temperaute Range : 105~ 142℃ / RH : 65 ~ 100%rh / Pressure Range : 0.019~0.208 MPa
동적 특성 시험기• 용도 : Gate에 펄스 인가하여 시간에 따른 전기적 특성 변화 측정을 위한 장비
솔더 젖음성 시험기• 용도 : Solder Bath에 침적후 소자 단자부의 솔더 젖음성 확인을 위한 장비 • 성능 : 센서 정밀도: ±0.1% 이하 / 최고 속도 50 mm/s / 전단 센서 : 1~200kgf
솔더 내열성 시험기• 용도 : Chip과 리드프레임사이의 솔더 내열성 • 성능 : Themal Heat : 350℃ / Conveyor Speed : 30~188 cm/min / 5 Heating zone 개별 온도 설정 가능
수분 저항력 시험기• 용도 : 습도에 따른 소자의 내습 상태 확인을 위한 장비 • 성능 : Temperature Range : -70 to 150 ℃ / RH : 20 ~ 98%rh / Temp & Humidity fluctuation : ±0.3℃/±2.5%rh
온도 싸이클 시험기• 용도 : 소자에 고온/저온 반복을 통한 수명 예측을 위한 장비 • 성능 : Oven chamber : -70 to 180 ℃ / Control channel 77 ccontrol channel / Heat up rate : 20℃/min
저온 방치 시험기• 용도 : 저온(-55℃)에서 일정시간 방치한 소자의 변화 확인을 위한 장비 • 성능 : Oven chamber : -70 to 150 ℃ / Temperature constancy : ± 0.3℃ / Heat up rate : 5.0℃/min
정전기 내성 방전기• 용도 : 소자에 정전기에 대한 내성 평가를 위한 장비 • 성능 : Test level: HBM ( 10V to 8KV) , MM(10V to 4KV) , Latch up( 100V/2A) / Device 양/불 검증을 위한 parameter 측정 / 소프트웨어를 통한 오실로 스코프 인터페이스
증기 가압 시험기• 용도 : 고온, 고압, 고습 환경에서 소자의 특성 변화 확인을 위한 장비 • 성능 : Temperaute Range : 105~ 142℃ / RH : 65 ~ 100%rh / Pressure Range : 0.019~0.208 MPa